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1，SiC材料是第三代半导体材料，具有很多优势;强度高，硬度高，熔点高，结构稳定等，脆性大，无延展性，切割，划片难度都很大。
2,在制备中会存在线性缺陷，二维缺陷，三维缺陷，混合缺陷等各种缺陷，真正去表征和研究这些缺陷，有很多方法，例如同步辐射X射线白光形貌术，快速扫描荧光技术，偏光显微镜，扫描电子显微镜，原子力显微镜等，针对工业上方便，快捷，性价比高的当数偏光技术——双折射应力分析仪；
3，利用偏光测量双折射可以获得缺陷周围应变区的分布和图形，对缺陷进行分析，特别是研究垂直于C轴切割的SiC晶片中的微观和螺型位错；
4，日本Photonic Lattice, Inc.公司具有二十多年的双折射测量经验，近些年在日本的碳化硅，蓝宝石晶片的双折射应力测量方面有很多应用。
设备目前已经通过客户检验认可，测量速度快，精度高，操作简单，量化数据，成为客户检测SIC和蓝宝石晶圆内应力的重要手段。
